（原标题：DRAM合优投资，生变！）
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在美光高调宣布停产DDR 4之际，DRAM市场正在发生变化。首先体现得就是DDR 4的快速涨价。据台媒日前报道，最新DDR4 DRAM现货价包括8Gb、16Gb等规格单日都暴涨近8%，涨幅令业界瞠目结舌，本季以来报价已翻涨一倍以上。
研调机构集邦科技旗下DRAM专业报价网站DRAMeXchange的数据指出，上周五（13日）晚间DDR4现货价全面暴涨，DDR4 8Gb（1G×8）3200大涨7.8%，均价为3.775美元；DDR4 8Gb（512M×16）3200劲扬7.99%，均价为3.824美元；DDR4 16Gb（1G×16）3200大涨7.9%，均价为8.2美元。为此，有业者直言：“至少十年没看过现货价单日涨幅这么大。”
与此同时，全球DRAM业者也正在发生一些变化，这可能会在未来影响DRAM的格局。
美光，后发先至？
其实在宣布DDR 4停产几个月前，美光发布了公司10nm第六代（D1c）DRAM原型。美光表示，1γ（1-gamma）DDR5 是公司在 DRAM 制造方面的最新进展，也是其第三代 10 纳米级工艺节点。它有望实现高达每秒 9200 兆次传输 (MT/s) 的数据传输速率，与其 1β 前代产品相比，速度提高了 15%。
美光科技声称，该技术可将功耗降低 20% 以上，这对于 AI 和数据中心至关重要。1γ DDR5 的增强速度和效率将支持计算能力的扩展，满足未来 AI 工作负载的需求。
美光科技宣布，计划于今年第二季度向部分合作伙伴提供 1y LPDDR5X 16Gb 产品样品。公司的目标是为 2026 年的旗舰智能手机提供业界领先的性能和高达 15% 的功耗节省。
来到HBM方面，美光科技日前也宣布，公司12 层堆叠 36GB HBM4 样品已交付给多家主要客户。该款产品采用 1β DRAM 工艺技术，预计将于 2026 年开始量产，以支持客户在下一代 AI 平台上的增长。
此前，美光预计其 HBM 市场份额将在 2025 年下半年达到与 DRAM 市场份额相当的水平，约为 20% 至 25%。
美光执行副总裁兼首席商务官 Sumit Sadana在接受Digitimes采访的时候表示，公司HBM 的市场份额将赶上美光的整体 DRAM 份额，目前正朝着这一目标迈进。公司计划在适当的时候披露 2026 年的进一步增长目标，并将根据客户需求投资定制化的 HBM 设计。
据介绍，美光公司正在台湾和日本扩大 DRAM 产能，并准备大规模生产。此外，该公司位于爱达荷州的新制造工厂计划于 2027 年投入生产。
关于HBM后端封装，美光科技在台湾和新加坡分别运营。鉴于HBM需要更多洁净室空间，美光科技将扩大新加坡的后端产能，以满足未来持续增长的需求。
此外，日前的报道指出，英伟达公司已选择美国芯片制造商美光科技公司作为其下一代内存解决方案 SOCAMM 的首家供应商。资料显示，由 Nvidia 设计并基于多个 LPDDR5X 芯片的 SOCAMM 模块将出现在 Nvidia 即将推出的 AI 加速器平台 Rubin 中，该平台计划于明年发布。SOCAMM采用铜线键合技术，每个模块连接 16 个 DRAM芯片——这与HBM的硅通孔形成对比。这种铜基结构可增强散热性，这对于AI系统的性能和可靠性至关重要。
知情人士透露合优投资，英伟达委托三大内存制造商——三星电子、SK海力士和美光——开发SOCAMM原型。不过，美光公司是第一家获得英伟达量产批准的公司，利用其在低功耗DRAM性能方面的优势超越了规模更大的邻居。
值得一提的是，美光日前还宣布，将斥资2000 亿美元用于扩大对尖端 DRAM 制造和研发的美国投资，这无疑会是影响DRAM未来格局的重要决定之一。
三星，艰难前行！
过去，三星一直受HBM的问题困扰，产品也迟迟得不到客户的认证。香港广发证券11日发布报告称，“三星电子6月份第三次HBM3E认证失败，下次认证预计在9月份”。 三星电子近期正在进行英伟达的HBM3E认证，国内外媒体和券商预测HBM3E认证将在今年6月或7月完成。
据悉，三星电子也已提前加大HBM3E产量，准备在认证后迅速供货。不过，据广发证券报告，6月份的HBM3E认证也被认为变得困难。 近日，欧洲金融证券公司瑞银集团也发布报告称，三星电子HBM3E 12层英伟达认证仍在进行中，预计将于今年第四季度开始供货。
但是，日前的消息透露，三星HBM经过了一道艰难考验。
据韩媒指出，三星电子已向大型 AI 芯片制造商超微半导体公司 (AMD) 交付第五代高带宽存储器 (HBM)，这引发了人们对其可能也向全球领先的 AI 芯片制造商英伟达公司供应高性能存储器的预期。AMD周四表示，其最新的 MI350 系列加速器采用三星电子和美国芯片制造商美光科技公司的 288GB HBM3E 芯片。
这是三星电子首次正式确认供应 HBM3E 芯片。根据 AMD MI350 系列的规格，这家韩国芯片巨头似乎已向 AMD 供应了 12 层 HBM3E，即 HBM3E 12H。大约两个月前，三星确认将向主要客户供应改进型 HBM3E 样品，但未透露客户名称。
虽然可能没有达成公司制定的百分百目标，但在五月底，有消息表示，三星电子已制定计划，继平泽晶圆厂之后，在其华城晶圆厂建设一条1c DRAM（第六代10nm DRAM）量产线。预计该投资最早将于今年年底完成，此举被解读为三星电子内部对提升良率充满信心的举措。
1c DRAM也是应用于三星电子“HBM4（第六代高带宽存储器）”的关键产品。有评估认为，由于三星电子在最新HBM的商业化方面遇到困难，因此正积极展现量产意愿。
作为三星电子计划最早在今年年底量产的最新一代 DRAM。这款 DRAM 对三星电子至关重要，源于其在 HBM 领域的领先地位。与 SK 海力士和美光等主要竞争对手在 HBM4 上采用 1b DRAM 不同，三星电子 决定将1c DRAM应用于HBM4 。
此前，三星电子已于今年年初在平泽第四园区（P4）开始建设其首条1c DRAM量产线。当时，投资规模相对较小，仅为每月3万片。三星电子一直奉行的战略是，先为1c DRAM的初期量产做好准备，然后根据未来产品开发的进展扩大投资。
目前三星电子正在商谈追加投资，扩大今年下半年P4工厂的1c DRAM产能，规模预计至少达到每月4万片。
此外，1c DRAM的转换投资预计最早将于今年年底在Mars第17线进行。
SK海力士，谨小慎微
千年老二SK海力士是这波AI浪潮的最大赢家。凭借在高带宽存储器 (HBM) 芯片市场无与伦比的领先地位，SK 海力士 (SK Hynix Inc.) 超越三星电子合优投资，成为自成立以来首次成为全球最大存储器芯片供应商。
据市场研究公司 Counterpoint Technology Market Research 此前发布的数据显示，截至 2025 年 3 月的第一季度，SK 海力士在全球动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片市场占据 36% 的市场份额，位居第一。这是 SK 海力士自 1983 年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位。
三星电子曾是存储器领域的霸主，统治市场长达 30 多年，如今却被挤到第二位，市场份额为 34%，美光科技 (Micron Technology Inc.) 紧随其后，市场份额为 25%。
但是，在这样的局面下，SK海力士并没有盲目激进。而是每一步都显得谨小慎微。
韩媒最新报道，SK海力士在扩大其尖端DRAM和HBM（高带宽存储器）产能的投资方面采取了谨慎的态度。据悉，该公司正在推迟原定的提前将设备引入新工厂的计划，并且确定今年整体设备投资规模的时间也被推迟。业内人士进一步指出，SK海力士今年包括清州M15X在内的设施投资计划预计将比原先的预期有所推迟。
M15X是一个新的生产基地，将负责SK海力士尖端DRAM和HBM的量产。总投资额为20万亿韩元，于去年第二季度开始建设，预计于今年第四季度竣工。
由于人工智能行业的增长预计会增加对尖端 DRAM 和 HBM 的需求，因此 SK Hynix 一直在积极投资 M15X。
今年早些时候，包括M15X洁净室在内的基础设施投资计划已从第二季度末提前到第二季度初。因此，预计该工厂的设备导入时间也将在9月或10月左右，比原计划提前一到两个月。
然而，SK海力士的语气最近有所转变。据悉，他们已决定推迟提前投资M15X的计划，并将该工厂的设备引进时间推迟到10月或11月左右。预计今年进入M15X的最先进DRAM的产能也将从每月1.5万片降至不足1万片，因此很可能会建设一条用于试产的一次性生产线。
一位半导体业内人士表示：“SK海力士一直在讨论提前投资设施，以便在年底前开始量产M15X的DRAM，但据我了解，实际的投资审核和订单进度都被推迟了。”他还补充道：“公司并非随意提前投资，而是打算从明年开始全面实施投资。 ”
据报道，SK海力士今年的整体设施投资计划也在不断推迟。据悉，尽管该公司通过向Nvidia供应尖端HBM保持了稳固的盈利能力，但考虑到各种管理状况，正在调整投资速度。
与此同时，SK海力士还披露了10纳米及以下DRAM未来技术路线图.
日前，SK海力士高管表示，目前，利用技术平台的微细工艺正进入越来越难以提高性能和容量的阶段。为了克服这一问题，SK海力士将准备4F方形VG（垂直栅极）平台和基于10纳米及以下结构、材料和组件创新的3D DRAM技术，以克服技术限制。SK海力士解释说，6F2单元目前是标准配置，但将4F2单元与晶圆键合技术（将电路元件放置在电池区域下方）相结合，可以显著提高电池效率和电气特性。
业内普遍认为，该技术的制造成本可能会随着堆叠数量的增加而增加，但SK海力士计划克服这一问题，并通过技术创新确保竞争力。该公司还透露，计划通过推进关键材料和DRAM组件的技术进步来确保新的增长引擎，从而为未来30年DRAM技术的持续发展奠定基础。
DRAM的未来
据Techinsights的报告披露，三星和 SK 海力士已将 D1a 和 D1b 单元设计产品商业化，包括 DDR5、LPDDR4X、LPDDR5 和 LPDDR5X，具有最小的 12nm 级 DRAM 单元设计。两家公司在采用 EUV 光刻技术方面均处于领先地位，而美光则在其 1α 和 1β 代中继续使用基于 ArF 和 ArFi 的图案化技术，并计划在其 1γ 代中引入 EUV。三星在 D1a 和 D1b 代中将 EUV 光刻扩展到五个或更多掩模。SK 海力士遵循类似的 EUVL 策略，已将其用于 D1a 和 D1b 代，并计划在未来几代中增加 EUVL 步骤。
高 K 金属栅极 (HKMG) 技术正日益普及。三星率先将 HKMG 用于D1x GDDR6 芯片的外围结构，并将其扩展到 D1y DDR5 芯片。美光已在 D1z 图形 DRAM 中实现了 HKMG，并将从 D1β 代开始将其扩展到所有 DRAM 类型。SK 海力士在 D1y 和 D1a GDDR6 中集成了 HKMG，最近又在 D1b DDR5 器件中集成了 HKMG。
报告进一步指出，明年初，各大厂商将推出D1c工艺的量产DRAM，随后到2026年或2027年，最终的10纳米级DRAM器件（D1d或D1δ节点）将问世。到2030年，DRAM技术预计将缩小到个位数纳米节点，包括0a、0b、0c或0α、0β和0γ代。三星正在开发VS-CAT和VCT 3D DRAM，而SK海力士和美光则专注于垂直堆叠DRAM。DRAM技术的未来前景光明，有望满足高性能应用和新兴技术日益增长的需求。
Yole在一份报告中则指出，尽管微缩挑战日益严峻，平面 DRAM 预计将在 0c/0d 节点（2033-2034 年）继续演进，并充分利用架构和工艺创新的结合。目前，业界依赖 6F2 DRAM 单元结构，该结构将在 2025 年占据所有商用产品的主导地位。然而，进一步的微型化最终将需要向基于垂直晶体管 (VT) 的 4F2 单元过渡，并集成在 CMOS 键合阵列 (CBA) 架构中。在 0c/0d 节点之后，预计向 3D DRAM 架构的过渡将不可避免。
截至 2025 年，所有主要的 DRAM 制造商（包括三星、SK 海力士、美光和长鑫存储）都在积极探索多种架构路径，以实现 3D DRAM 集成。
与此同时，一份有关HBM的路线图也被披露。
据韩国领先的国家研究机构韩国科学技术研究院(KAIST )透露，HBM 的单栈容量将从 HBM4 的 288 GB 增加到 348 GB，HBM8 的容量则将增加到 5,120 GB 到 6,144 GB。此外，功耗也将随性能提升而提升，从 HBM4 的单栈 75W 增加到 HBM8 的 180W。
预计 2026 年至 2038 年间，内存带宽将从 2 TB/s 增长到 64 TB/s，数据传输速率将从 8 GT/s 提升到 32 GT/s。每个 HBM 封装的 I/O 宽度也将从目前 HBM3E 的 1,024 位接口增加到 HBM4 的 2,048 位，之后将一路提升到 HBM4 的 16,384 位。
“混合键合被认为是未来 HBM 世代的关键推动因素，尤其对于高堆叠配置而言。然而，由于良率和吞吐量方面的挑战，HBM 供应商已将基于微凸块的工艺扩展至 HBM4 和 HBM4E。目前，混合键合预计将于 2029 年左右与 HBM5 一起进入市场，尤其适用于高端 20Hi 堆叠。”Yole在报告中强调。
此外，中国的DRAM厂商也在密锣紧鼓地推进。在现在的国际竞争格局下，这也会成为影响全球DRAM格局的重要力量。
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